• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1987002718A1
    申请号:PCT/JP1986/000556
    申请日:1986-10-31
    公开日:1987-05-07
    发明作者:Hiroshi Kamio；Kazuhide Nakaoka；Kenji Araki；Katsuhiko Murakami；Akira Kazama；Shigetake Horie
    申请人:Nippon Kokan Kabushiki Kaisha；
    IPC主号:C30B15-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] 半 導 体 单 結 晶 製 造 装 置
    [0003] 技 術 分 野
    [0004] 本 発 明 は 、 半 導体 单 結 晶 体 を 製 造 す る 装 置 、' 特 に 均 質 性 に 優.れ た 高 品 位 の 半 導 体 单 結 晶 体 を 連 続 的 に 製造 す る 装置 に関 す る も の で あ る 。
    [0005] 背景 技 術
    [0006] 近 年 、 シ リ コ ン 等 の 半 導 体 单 結 晶 体 の 需 要 の 高 ま り と 、 デ ィ バ イ ス メ ー カ ー に 於 け る 生産 性 の 向 上 の た め 、 半導 体 単 結 晶 製 造 装 置 が 大型 化 し 、 引 き 上 げ ら れ て 製造 さ れ る 半導体 单 結 晶 体 も 急 激 に 大 径 化 し て き て い る 傾 向 に あ る 。
    [0007] ' じ か し'な が ら 、 バ ッ チ 型 の 半 導 体 单 結 晶 製 造 装置 に 於 て は 、 そ の 装置 の 特 性 か ら 、 半 導 体 单 結 晶 体 が 引 き 上 げ ら れ て 成 長 す る に 従 つ て 半 導 体 の 溶 湯 池 の 溶 湯 量 が 減 少 し 、 溶 湯 池 中 の ド ー ブ 材 の 濃 度 が 増 力 α し 、 弓 1 き 上 げ ら れ て 成長 す る 半 導 体 单 結 晶 体 中 に 偏 析 す る ド ー ブ 材 が 長 手 方 向 に 次 第 に 増 加 し 、 こ の た め 、 製造 さ れ た 半 導 体 单 結 晶 体 の 特 性 が 長 手 方 向 に 沿 っ て 変 化 す る と い う 欠 点 を 有 し て レヽ る 。
    [0008] 即 ち 、 上 記 ド ー ブ 材 の 偏 折 の た め 、 半 導 体 单 結 晶 の 電 気 抵 抗 率 は 、 凝 固 が 後 に な る に 従 っ て 次 第 に 低 下 し 、 例 え ば 、 最 も 仕 様 の 厳 し い C 一 Μ 0 S の 場 合 、 そ の 仕 様 に 耐 え 得 る ゥ ェ 八 - 歩 留 は 、 育成 さ れ た 半導体 单 結 晶 体 の 長 さ の 約 4 0 % 以下 で あ る 。
    [0009] こ の よ う な 状 況 下 で 、 例 え ば 、 特 開 昭 5 2 — 5 8 0 8 0 、 特 開 昭 5 6 — 1 6 4 0 9 7 、 特 開 昭 ' 5 6 — 8 4 3 9 7 及 び特 開 昭 5' 9 - 7 9 0 0 0 に 示 さ れ て レヽ る よ'う に 、 半導体 材料 か ら な る 原 料 を 溶 湯 池 に 連続 的 に 供 給 し て 、 半導体单結 晶体 の 成 長 に 伴 な う そ の 品 質変 動 を 抑 制 す る 方 法 が 提 案 さ れ て い る 。
    [0010] こ の よ う に 半 導体 单 結 晶 の 長手 方 向 の 品 質変.動 防 止 に は 半導体原 料 の 連続供 給 は 有 効 で あ る が 、 こ の 連 続供 給 に お い て も 、 均 質 な 半 導体单 結 晶 を 得 る た め に は 、 供 給 原 料 の 適 正 温 度 制 御 お よ び 供 給 量 制 御 （ 湯 面 レ べ ル 制 御 ） が 充分 に で き る こ と が 、 必要 不可欠 で あ る 。
    [0011] し か し な が ら 、 半 導体原 料溶解 ル ッ ボ と 引 き 上 げ 用 ル ッ ボ と を 必要 と す る 特 開 昭 5 2 - 5 8 0 8 0 の 方 法 は 、 構造 的 に 極 め て 複雑 と な る し 、 2 つ の ル ツ ボ を 連 結 す る 湯道 で の 適正温度制 御 ゃ 微 小 な 供 給流量 の 制 御 と い う 点 で 大 い に 問 題 が あ る 。
    [0012] 特 開 昭 5 6 - 1 6 4 0 9 7 は 单 結 晶製造装置 外 か ら 粉 末 状 の 半 導体 原 料 を 装置 内 に 設 け ら れ た 小 さ な 溶解 ル ツ ボ に 間 歇 的 に 一 旦 受 け 、 溶解 さ れ る に 従 っ て 溶 湯池 に 供 給 す る 方 法 で あ る 。 こ の 方 法 も 上 記 と 同 様 に 溶 解 ル ツ ボ を 必 要 と し 、 装 置 を 複 雑 に し て レヽ る ば か り で な く 、 供 給 さ れ る 半導 体 原 料 か ら 見 る と 間 接加 熱 と な る た め 、 溶 湯 池 に 供給 さ れ る 融 液 温 度 を 精 度 良 く 制 御 す る こ と は 難 し レヽ し 、 間 歇 供 給 の た め 、 融 液 量 の 供 給 も ノ ラ ッ キ.が 出 る こ と は い な め な レヽ 。 ま た 、 粉 末 原 料 の 製 造 段 階 で 不 純 物 の 混 入 と い つ た 基 本 的 な 問 題 が 解決 で き な く な る 。
    [0013] 特.開 昭 5 6 一 8 4 3 9 7 の 方 法 は-、 装 置 の 軸 対 称 性 が な い た め 、 ル ッ ボ の 回 転 が 不 可 能 で 、 温 度 的 に も 、 ド ー ブ 材 の 濃度 の 均 一化 か ら 見 て も 均質 な 半導体 单 結 晶 体 を 得 る こ と は 難 し い 。
    [0014] ま た 、 特 開 昭 5 9 一 7 9 0 0 0 ほ 、 原 料 の 融 解 の た め の 熱 源 と し て は ル ッ ボ の 力 Π 熱 ヒ ー タ の み で あ る た め 、 バ V チ 法 で の 加 熱 温 度 に 比 較 し て 相 対 的 に 高 温 ま で 加 熱 し _ な け れ ば な ら ず 、 ル ッ ボ 内 の 半 径 方 向 の 温 度 勾 配 は 大 き く な り ±± 曰
    [0015] 、 ホロ 曰曰成 長 界 面 内 で の 等 温 度 性 が く ず れ る 。 こ の た め 、 半径方 向 の 結 晶 成 長 速 度 に 不 均 一性 を 生 じ 、 半径 方 向 の 品 質 の 均 一 性 を 保 つ こ と が 困 難 に な る と レヽ っ た 温 度 制 御 性 の 面 で ま だ 問 題 が 残 つ て レヽ る 。
    [0016] 本発 明 は 、 こ れ ら の 問 題 点 を 解 決 し て 、 供 給 原 料 の 温 度 及 び 供 給 量 ( 湯面 レ ベ ル ) を 適 正 に 制 御 で き 、 —半 径 方 向 お よ び 長 さ 方 向 に 共 に 均 質 な 電 気 抵 抗 率 を 有 す る 半 導 体 单 結 晶 体 を 連続 的 に 製 造 す る こ と が で き る 半 導 体 单 結 晶 製 造装 置 を 提 供 す る こ と を 目 的 と す る 。 発 明 の 開 示
    [0017] 本 発 明 に 係 る 半 導 体 单 結 晶 製 造 装 置 は 、 ル ッ ボ 中 に 溶 融 さ れ た 半 導体 材 料 の 溶 湯 池 か ら 該 半 導体 材 料 を 回 転 さ せ な が ら 少 し ず つ 引 き 上 げ て 円 柱 状 に 凝 固 さ せ 、 こ れ に よ り 半 導 体 单 結 晶 を 得 る 半 導 体 单 結 晶 製 造 装 置 に お い て 、 少 な く と も 一個 以 上 の 半導体 材 料 の 原 料棒 と 、 該原 棒 を 加熱 溶融 す る 高周 波 誘 導 加 熱 コ イ ル と を 装置 内 に 備 え た も の で あ る 。
    [0018] 本 発 明 に よ り 、 半 導 体 原 料 を 溶 湯 池 中 に 供 給 す る 温 度 と し て 最適 な 融 点 直 上 温 度 に き 然 に 精 度 良 く 制 御 す る こ と が で き 、 か つ 半 導 体 单 結 晶 と し て 引 き 上 げ ら れ て い く 凝 固 量 に 見 合 っ た 量 を 安 定 的 に 連 続 し て 供 給 す る こ と が 可 能 と な る 。
    [0019] 本 発 明 に よ り 、 高 精度 な 温 度 制 御 が 自 然 に な さ れ る の は そ の 原 理 か ら し て 明 ら か で あ る 。 す な わ ち 、 原 料 棒 が 半 導体 单 結 晶 育成 上 最 も 望 ま し い 温 度 で あ る 溶融 点 直上 温度 に 達 し た 時 点 で 当 然 の こ と で は あ る が 原 料 棒 の 溶融 が 起 こ り 、 こ の 溶 融 と 同 時 に 溶 融 部 分 が 半 導体 材料 溶 湯 池 へ と 滴 下 す る か ら で あ る 。
    [0020] れ に よ り 、 半導体結 晶 界 面 の 温度 分 布 を 乱 す こ と な く 、 結 晶 成 長 速度 の 均 一 化 が 図 れ る よ う に な る 。 更 に 、 原 料 供 給 量 の 制 御 は 高 周 波 誘導 加熱 コ ィ ル の 電流 値 を 制 御 す る こ と に よ り 容 易 に 高 精 度 に な さ れ る 。 す な わ ち 、 半 導 体 材 料 溶 湯 池 中 の 溶 湯 量 を 一 定 に 保 つ こ と が で き 、 溶 湯 池 中 の ド ー プ 材 濃 度 の 変 動 を 防 止 す る こ と が で き る よ う に な る 。
    [0021] 図 面 の 簡 単 な 説 明 '
    [0022] 第 1 図 は こ の 発 明 の 一実 施 例 を 示 す 説 明 図 、 第 2 図 は 第 1 図 の II - II 矢 視 図 、 第 3 図 及 び第 4 図 は こ の 発 明 の 他 の 実 施 例 を 示 す 説 明 図 、 第 5 図 は 凝 固 分 率 と 電 気 抵 抗 率 と の 関 係 を 示 す グ ラ で あ る 。
    [0023] 発 明 を 実 施 す る た め の 最 良 の 形 態
    [0024] 第 1 図 は 本 発 明 の 一実 施例 を 示 す 説 明 図 、 第 2 図 は 第 1 図 の II — II 矢 視 図 で あ り 、 図 に お い て 、 （ 1 ) は カ ー ボ ン ル ツ ボ 、 （2 ) は こ の 力 一 ボ ン ル ツ ボ を 取 り 囲 む ヒ ー タ 一 、 ( 3 ) は こ の ヒ ー タ 一 を 取 り 囲 む 断 熱 材 、 （ 4 ) は カ ー' ボ ン ル ツ ボ （ 1 ) の 内 側 を 被 覆 す る 石 英 ル ツ ボ 、 （ 5 ) ほ こ の 石 英 ル ツ ボ 内 に 保 持 さ れ た 半 導 体 材 料 溶 湯 池 、 （ 6 ) は こ の 半 導 体 材 料 溶 湯 池 の 上 に 設 け ら れ た 半 導 体 单 結 晶 育 成 炉 、 （ 7 ) は 半 導 体 材 料 溶 湯 池 （ 5 ) か ら 少 量 ず っ 徐 々 に 引 き 上 げ ら れ 凝 固 さ せ ら れ た 柱 状 の 半 導 体 单 結 晶 体 、 ( 8 ) は 半 導 体 单 結 晶 育成 炉 （ 6 ) に 隣 接 し て 設 け ら れ た 2 組 の 半 導 体 原 料 供 給 炉 、 （ 9 ) は こ の 半 導 体 原 料 供 給炉 内 に 吊 下 げ ら れ た 多 結 晶 半 導 体 か ら な る 原 料 棒 、 （ 1 0 ) は こ の 原 料棒 を 力 P 熱 し て 、 半導 体 溶 湯 池 （ 5 ) に そ の 融 滴 （1 1 ) を 供 給 す る 高 周 波 誘 導 加 熱 コ イ ル で あ る 。 な お 、 ル ツ ボ (1) 内 に 、 第 3 図 に 示 す よ う に リ ン グ 状 の 堰 （ 12 ) を 半 導 体单 結 晶 体 （7 ) を 囲 む よ う に 設 a し て も よ い し 、 又 、 第 4 図 に 示 す よ う に ロ ー ト 状 の 堰 (13) を 原 料 棒 （9) の 直 下 に ώ し て ち よ い 。 こ れ ら の 場 合 は 堰 (12)又 i 堰 （ 13 ) に よ り 溶 湯 池- (5 ) の 表 面 の 乱 れ や ド 一 ブ 材 濃度 の 変 動 が 極 め て 小 さ く な る 。 （14) は 半 導体 原 料供 給 炉 (8) を 隔 離 す る ゲ ー ト バ ル ブ で あ る が 、 長時 間 連続供 給 す る の で な け れ ば 特 に 必 要 は な い 。 ま た 、 半導 体 单 結 晶 育 成炉 （ S ) と 半 導体原 料 供 給 炉 （8) と を 仕 切 る 必 要 も な レヽ
    [0025] 2 組 の 高周 波誘 導加 熱 コ イ ル (10) は 单 結 晶 の 引 き 上 げ 量 に 応 じ て 、 原 料棒 （ 3 ) を 融 点 直上 温 度 で 融解 し な が ら 半 導体 溶 湯 の 供 給 量 を 制 御 す る 溶 湯.制 御 手 段 を 備 え て お り 、 原 料 の 消 費 ~ J心 て お 互 レ、 に 5 0 0 K H z 7 5 K W の 電 源 （ 図 示 せ ず ） に 切 替 え が 可 能 な よ う に 接続 さ れ て い る
    [0026] こ の よ う な 基本 構 造 を 持 つ 本 発 明 に よ り 、 安 定 か つ 連 続 的 に 溶 湯 池 内 の 温 度 場 を 乱 さ な い よ う な 融 点 直 上 温 度 の 溶融 し た 原 料 を 溶 湯 池 に 供 給 す る こ と が で き 、 溶 湯量 お よ び ド 一 ブ 材 濃 度 を 一定 に 保 て る よ う に な り 、 製 造 さ 'れ る 半 導体 单 結 晶 体 の 長 手方 向 お よ び半 径 方 向 の 品 質 変 動 を 抑 制 す る こ と が で き た 。
    [0027] 実 験 例
    [0028] 2 5 イ ン チ 直 径 の ル ツ ボ を 用 レヽ て 、 ド ー ブ 材 を 含 ん だ 4 イ ン チ 直 径 の 原 料 棒 ） を 粒 滴 状 に 融 解 し 、 こ の 融 滴 ( U ) を 溶 湯 池 （ 5 ) に 供 給 し な が ら 、 直 径 6 イ ン チ 、 長 さ 2 m の シ リ コ ン の 半 導 体 单 結 晶 体 （ 7 ) を 育 成 し た 。 そ の 手 順 は 、 次 の と お り と し た 。 ド ー ブ 材 を 含 ん お シ リ コ ン 溶 湯 （ 5 ) 約 3 0 k g ( 深 さ 5 c ra ) を 所 定 温 度 に 保 ち 、 そ の 状 態 で 供 給 原 料 棒 （ 9 ) の 先 端 を 高 周 波 誘 導 加 熱 コ イ ル ( 1 0 ) 内 に 降 下 さ せ 、 高 周 波 電 源 よ り 該 コ イ ル （ 1 0 ) に 電 源 を 投 入 し て 加 熱 し た 。 供 給 さ れ る 原 料 棒 （ 9 ) は 均一 に 溶 損 さ せ て 行 く 目 的 で 5 r p m で 回 転 を 行 っ た 。 溶 湯 池 （5 ) の 深 さ は 、 大 き な 熱 対 流 を 防 止 す る た め に 浅 い 方 が 望 ま し い が 、 温度 の 均 一性 お よ び ド 一 ブ 材 の 均 一 性 か ら 、 今 回 の 実 験 例 で は 5 c m深 さ と し た 。 _ .
    [0029] 種 結 晶 を 浸 漬 し 、 ネ ッ キ ン グ 操 を 行 つ て い る 間 に 、 予 熱 が 完 了 し て い る 原 料 棒 （ 9 ) を 融 解 し 、 融 点 直 上 温 度 と な つ た 融滴 （ 1 1 ) を 溶 湯 池 （ 5 ) へ 静 か に 滴 下 さ せ 、 以 後 は 常 に 液 面 位 置 が'定 位 地 に な る よ う に 電 源 パ ワ ー を 調 整 し 、 原 料 の 供 給 量 を 制 御 す る こ と に よ り 、 従 来 の ノ ッ チ 式 に お け る 单 結 晶 の 育 成 と 同 様 に 、 デ イ ス ロ ケ 一 シ ヨ ン の 存 在 し な い 单 結 晶 を 弓 I § 上 げ る こ と が で き た 。
    [0030] な お 、 一 方 の 原 料棒 （ 9 ) が 所 定 量 ま で 消 耗 す る と 、 あ ら か じ め 、 装 塡 し て あ っ た 他 方 の 原 料 棒 （ 9 ) を 融 解 供 ¾ ,厶 し 、 そ の 間 、 ゲ ー ト バ ル ブ （ 1 4 ) を 閉 じ て 消 耗 し た 原 料棒 ( 9 ) を 新 し い 原 料 棒 （ 9 ) と 交 換 し 、 交 互 に こ の 操 作 を 繰 り 返 す こ と に よ り 、 連 続 的 に 長 尺 单 結 晶 を 育 成 す る こ と が で き る 。 そ の 他 の 結 晶 育 成 条 件 は 、 結 晶 回転 速 度 が 1 5 r p m , ル ツ ボ の 回転 速 度 が 、 そ の 反 対 方 向 に 3 r p m と し 、 結 晶 の 引 き 上 げ 速 度 が 定 径 部 に お い て 、 0' . 7 5 m m /分 と し た 。
    [0031] ま た 、 今 回 の 実 験例 で 、 液 面 位 置 は 、 原 料棒 供 給 速 度 で 制御 し た.た め 、 ル ツ ボ の 上 昇 は 不 用 で あ っ た が 、 湯 面 の 微調 整 の た め に ル ツ ボ の 上、 下移 動 を 行 っ て も よ い 。 し か し な が ら 、 こ の 場 合 、 溶 湯 池 内 の ド 一 ブ 材 の 濃 度 が 定 常 状 態 か ら 微 変 動 す る お そ れ が あ る 。
    [0032] な お 、 本 発 明 で は 、 前 述 の よ う に 、 原 料 棒 （ 9 ) の 補 給 の た め に 、 高 周 波誘 導 加 熱 コ イ ル （ 1 0 ) を 2 個 設 け 、 電 源 を 切 り 替 え て 、 原料 溶 湯 の 連 続供 給 を 行 っ て レ、 る が 、 高 周 波誘 導 加熱 コ イ ル を 1 個 に し 、 原 料 棒 （ 9 ) を 縦 に 継 い で 行 く 方法 で も 、 本 賞 的 に 変 わ り な レヽ 。
    [0033] 次 に 、 今 回 の 実 験例 で 得 ら れ た 半導 体 '单 結 晶 体 の 抵 抗 率分'布 を 第 5 図 に 示 す 。 こ の 図 か ら わ か る よ う に 、 結 晶 長 さ （ 凝 固 分 率 に 対応 ） 方 向 の 抵 抗 率 分 布 は 、 従 来 の バ ツ チ 式 で の 分 布 （ 1 5 ) と 比 較 し て 、 本 発 明 に よ る 連続的 な 原 料 供 給 法 に よ る 抵 抗 率 分 布 （ 1 6 ) は 、 ほ ぼ 結 晶 の 全 長 に わ た っ て 、 1 % 以 内 の 変 動 率 で あ り 、 C — M O S 用 ゥ ェ ハ を 考 え た 場 合 、 従 来 の 4 0 % 程 度 の 歩 留 か ら 、 一 気 に 1 0 0 % 近 い 歩 留 が 得 ら れ る 。 な お 、 本 発 明 で は 、 原 料 棒 （ 3 ) の 融 解 に 高周 波 誘 導 加 熱 コ イ ル （ 1 0 ) を 用 い た が 、 レ ー ザ ー 、 電 子 ビ ー ム 、 直 接 通 電 な ど 他 の 溶 解 法 を 用 い て も 良 く 、 ま た 、 弓 1 き 上 げ ら れ る 半 導 体 材 料 の 单 結 晶 体 （ 7 ) 及 び 供 給 原 料 棒 （ 9 ) も シ リ コ ン 系 材 料 以 外 に も 応 用 は 可 能 で あ る し 、 原 料 の 形 状 も ワ イ ヤ — や■ リ ボ ン 形 状 で も 良 い こ と は 言 う ま で も な い 。 ま た 、 单 結 晶 の 育 成 性 及 び 品 質 性 か ら 、 シ リ コ ン 融 液 の 流 動 を 防 止 す る 目 的 で 磁 場 を 印 加 す る 設 備 を 本 発 明 の 構 成 に 付 加 し て も 良 い 。
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    ( 1 ) ル ツ ボ 中 に 溶 融 さ れ た 半導 体 材 料 の 溶 湯 池 か ら 該 半導 体 材料 を 回 転 さ せ な が ら 少 し ず つ 引 き 上 げ て 円 柱 状 に.凝 :固 ざせ 、 こ れ に よ り 半 導体 单 結 晶 を 得 る 半導 体 单 結 製 造—装置 に お い て 、 少 な く と も 一 個 以 上 の 半導 体 材 料 の、' 料棒； と 、 該原 料棒 を 加 熱 溶融 す る 高 周 波 誘導 加 熱 コ ィ ル と を 該装 置 内 に 備 え た こ と を 特徴 と す る 半導 体 单 結 晶製 造装置。
    ( 2 ) 前 記 半 導 体 が シ リ コ ン で あ る こ と を 特徴 と す る 請 求 の 範 囲 第 1 項 に 記 載 の 半 導 体 单結 晶 製 造装置 。
    ( 3 ) 前 記原 料 棒 を 回 転 さ せ な が ら 加 熱 溶 融 さ せ る こ と を 特 徴 と す る 請 求 の 範 囲 第 2 項 に 記 載 の 半 導 体 单 結 晶 製 造装置 。 . . . ：
    ( 4 ) 前 記 装 置 が 、 原 料棒 を 密 閉 隔 離 す る ゲ ー ト バ ル ブ を 備 え て い る こ と を 特 徴 と す る 請 求 の 範 囲 第 2 項 に 記 載 の 半 導 体 单 結 晶 製 造 装 置 。
    ( 5：) 前 記 ル ッ ボ 内 に 半 導体 单 結 晶 を 囲 む リ ン グ 状 の 堰 が 設メナ ら れ て レ、 る こ と を 特徴 と す る 請 求 の 範 囲 第 1 項 に 記 載 の 半 導体 单 結 晶 製 造 装 置 。 要 約 書
    ル ツ ボ 内 の 半 導 体 溶 液 の 温 度 を で き る だ け 最 適 温 度 に 制 御 で き 、 原 料 の 供 給 量 を で き る だ け 最 適 量 に 制 御 で き る よ う に し た 半 導 体 单 結 晶 の 連 続 製 造 装 置 で あ る 。 ル ツ ボ 中 に 溶 融 さ れ た 半 導 体 材 料 の 溶 湯 池 か ら 該 半 導 体 材 料 を 回 転 さ-. せ- な が ら 少 し ず つ 弓 1 き 上 げ て 円 柱 状 に 凝 固 さ せ 、 こ れ に よ り 半 導 体 单 結 晶 を 得 る 半 導体 单 結 晶 製 造 装 置 に お い て 、 少 な と も 一 個 以 上 の 半 導 体 材 料 の 原 料 棒 と 、 該 原 料 棒 を 加 熱 溶融 す る 高 周 波 誘 導 加 熱 コ イ ル と を 該 装置 内 に 備 え た も の で あ る 。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US4659421A|1987-04-21|System for growth of single crystal materials with extreme uniformity in their structural and electrical properties
    US5997635A|1999-12-07|Method for fabricating a single-crystal semiconductor
    US5779791A|1998-07-14|Process for controlling thermal history of Czochralski-grown silicon
    KR100954291B1|2010-04-26|고품질의 반도체 단결정 잉곳 제조장치 및 방법
    SU1433420A3|1988-10-23|Холодный тигель
    TWI324643B|2010-05-11|
    KR930001895B1|1993-03-19|실리콘 단결정의 제조방법 및 장치
    KR20060128033A|2006-12-13|단결정 실리콘 연속성장 시스템 및 방법
    US8475590B2|2013-07-02|Method and apparatus for the production of crystalline silicon substrates
    US3359077A|1967-12-19|Method of growing a crystal
    CN1038437C|1998-05-20|利用会切磁场和晶体及坩埚转速的组合控制硅晶体氧含量的方法
    US4040895A|1977-08-09|Control of oxygen in silicon crystals
    KR100793950B1|2008-01-16|실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장방법
    EP2142686B1|2018-12-12|Method for producing a single crystal
    KR100899767B1|2009-05-27|단결정반도체의 제조장치, 제조방법 및 단결정잉곳
    KR100239864B1|2000-01-15|단결정의 제조방법 및 장치
    EP1831436B1|2009-04-15|Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field
    US8172943B2|2012-05-08|Single Crystal manufacturing method
    US3798007A|1974-03-19|Method and apparatus for producing large diameter monocrystals
    US5349921A|1994-09-27|Growing semiconductor crystalline materials
    US10513796B2|2019-12-24|Methods for producing low oxygen silicon ingots
    JP4193558B2|2008-12-10|単結晶の製造方法
    KR20020006710A|2002-01-24|실리콘 단결정의 제조방법
    KR101048831B1|2011-07-13|단결정 제조용 흑연 히터 및 단결정 제조장치와 단결정 제조방법
    KR20120051894A|2012-05-23|사파이어 잉곳 성장장치
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    FI872888A0|1987-06-30|
    FI84498B|1991-08-30|
    FI872888D0||
    FI872888A|1987-06-30|
    EP0245510A4|1989-06-21|
    EP0245510A1|1987-11-19|
    KR880700872A|1988-04-13|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1987-05-07| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): FI JP KR US |
    1987-05-07| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB IT NL |
    1987-05-23| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1986906457 Country of ref document: EP |
    1987-06-30| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 872888 Country of ref document: FI |
    1987-11-19| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1986906457 Country of ref document: EP |
    1991-10-15| WWW| Wipo information: withdrawn in national office|Ref document number: 1986906457 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP60/244116||1985-11-01||
    JP24411685||1985-11-01||
    JP5356086||1986-03-13||
    JP61/053560||1986-03-13||
    JP12919286||1986-06-05||
    JP61/129192||1986-06-05||FI872888A| FI84498B|1985-11-01|1987-06-30|Anordning foer framstaellning av enkristall foer halvledare.|
    KR870700580A| KR880700872A|1985-11-01|1987-07-01|반도체단 결정 제조장치|
    [返回顶部]